Поиск по сайту:

Физико-математические науки

Диссертации из НБУ.

Раздел: 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків / Назад, ко всем разделам НБУ.

idКод спец-тиГодТемаАвтор
1501.04.1008.12.1999Оптичні властивості і рекомбінаційні процеси в люмінесцентних матеріалах на основі оксидів ітрію та скандіюБордун Ігор Михайлович
28301.04.10..Рекомбінаційні процеси за участю остовних і валентних дірок в широкозонних галоїдних кристалах.Михайлик Марія Степанівна
33301.04.10..Анізотропія діелектричних властивостей, р,Т,Е-діаграма та критична поведінка кристалів Sn2P2S6 при високих тискахКедюлич Віктор Михайлович
92301.04.10..Магнітооптичні ефекти в напівмагнітних напівпровідниках на основі телуриду ртутіФедів Володимир Іванович
121901.04.10..СПЕКТРИ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ ГРАТКИ КРИСТАЛІВ ГРУПИ In-Se, In-TeРУЩАНСЬКИЙ Костянтин Золтанович
190701.04.1022.06.2000Дослідження змін властивостей приповерхневих шарів фосфіду індію під дією атомів водню теплових енергій.Горбенко Віталій Іванович
198601.04.1014.06.2000 Активаторні центри забарвлення в кристалах SrCl2:TlClСалапак Володимир Михайлович
245901.04.1027.09.2000Роль морфологiї фронту кристалiзацiї в процесах вирощування монокристалiв корундуТкаченко Сергiй Анатолiйович
246301.04.1020.09.2000Радіаційно-стимульовані процеси в кристалах LiBaF3Воронова Валерія Василівна
258101.04.1027.09.2000 Фізичні властивості гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію. - Рукопис.БАРАСЮК ЯРОСЛАВ МИКОЛАЙОВИЧ
269101.04.1023.10.2000Екстремальні струми в напівпровідникових структурахІщук Лариса Вадимовна
276501.04.1012.10.2000Люмінесцентні властивості моно- та полікристалів нелегованого і легованого міддю тетраборату літіюГунда Борис Михайлович
294501.04.1027.10.2000Фізичні властивості кристалів седеніду цинку, легованих елементами І та V групЧабан Юрій Ярославович
301001.04.10..Вплив дефектної підсистеми на фотоелектричні властивості кремніюВозний Максим Валерійович
348501.04.1022.11.2000Особливостi формування iмпульсу затриманої радiолюмiнесценцiї в органiчних дiелектрикахЯричкiн Володимир Володимирович
383901.04.10.. Електронні та фононні властивості фоточутливих напівпровідникових сполук типу AIBIIICVI2Гой Руслана Богданівна
424501.04.1023.02.2001Електронні енергетичні спектри напівпровідникових кристалів у методі апріорного псевдопотенціалуСобчук Ігор Степанович
444601.04.1022.03.2001Електрофізичні та оптичні властивості градієнтних структур на основі склоподібного As2S3Шовак Іван Іванович
521201.04.1023.05.2001Центри люмінесценції і центри захоплення в кристалічних системах галоїдних сполук кадмію і свинцю.ЯРИЦЬКА Лідія Ігорівна
639801.04.1019.10.2001Електронні та фононні теплові хвилі у напівпровідникахКасянчук Михайло Миколайович
657001.04.1026.10.2001Вплив домішок групи заліза на фізичні властивості напівпровідників на основі селеніду і телуриду ртуті.Андрійчук Мирослав Дмитрович
826201.04.10..Вплив індукованих лазерним випромінюванням ударних хвиль на стан дефектів у вузькощілинних твердих розчинах Hg1-xCdxTe та Pb1-xSnxTeЯковина Віталій Степанович
879001.04.1027.05.2002ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОРМУВАННЯ СКЛАДУ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ.Телега Володимир Миколайович
928601.04.10..Модифікація оптичних властивостей плівкових структур на базі бактеріородопсинуБаторі-Тарці Зіта Іштванівна
957201.04.10..Вплив фото- і термостимульованих перетворень на оптичні та електрофізичні властивості аморфних багатошарових структурМальованик Михайло Михайлович
987401.04.1019.09.2002Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об'ємних напівпровідників CdS1-xSexЛопушанський Василь Володимирович
1021801.04.1023.10.2002Радіаційно- і термоіндуковані оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3Жидачевський Ярослав Антонович
1030401.04.10..Зонна структура, хімічний зв'язок та оптичні властивості напівпровідникових твер-дих розчинів заміщення Ga(x)In(1-x)P, InAs(x)Sb(1-x), InSb(1-х)Ві(х)Виклюк Ярослав Ігорович
1064501.04.1020.11.2002 Роль нерівноважних носіїв заряду в лінійних явищах переносу в обмежених напівпровідникахМеріуц Андрій Володимирович
1079201.04.10..Люмінесцентно-кінетичні дослідження процесів утворення свинцевовмісних нанокристалів, диспергованих у діелектричних матрицяхГлосковський Андрій Вікторович
1185001.04.10..Енергетична структура дефектів і фотоелектричні властивості легованих кристалів групи А2В6Грипа Оксана Андріївна
1266701.04.1023.04.2003Зонна структура та оптичні властивості шаруватих монокристалів бромиду індіюБовгира Олег Вікторович
1270901.04.1022.05.2003Вплив модифікаторів (HgSe, Cu2Se) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германіюГалян Володимир Володимирович
1359701.04.1027.06.2003Вплив власних і домішкових дефектів на електрофізичні та оптичні властивості монокристалів ZnSe:In, отриманих методом вільного росту.Ніцук Юрій Андрійович
1477701.04.1022.10.2003Енергетична структура і оптичні спектри кристалів групи A2BX4: A2CdI4 (A = Cs, Ag) та (CnH2n+1NH3)2MnCl4 (n = 2, 3)Вельгош Сергій Романович
1495501.04.1028.11.2003Повздовжні флуктуації струму в анізотропних напівпровідниках з непружнім розсіюванням носіївГригоришин Олександр Миколайович
1495701.04.1031.10.2003Процеси переносу заряду в легованих кристалах CdTe, Cd0,95Hg0,05Te та структурах на їх основі.Танасюк Юлія Володимирівна
1609601.04.1013.02.2004Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників А(((ВV.Артеменко Олена Сергіївна
1627201.04.1020.02.2004Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PbTe, PbSe, PbS n-типу провідностіНикируй Любомир Іванович
1641101.04.10..Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групиКоролюк Юрій Григорович
1736701.04.1030.04.2004Електронні енергетичні спектри напівпровідників типу AIV, AIIIBV і твердих розчинів Si1-XGeX у методі змішаного базисуКинаш Юрій Євстахійович
1764501.04.1027.05.2004Фотоіндуковані гратки просторового заряду в сегнетонапівпровідникових кристалах Sn2P2S6Кедик Ігор Васильович
1784501.04.1028.05.2004Люмінесцентні явища в окисних плівках алюмінію, обумовлені участю іон-радикалівРобул Юрій Володимирович
1891501.04.1015.09.2004Оптичні властивості та електропровідність органічних напівпровідників на основі спряжених поліариленівКонопельник Оксана Ігорівна
1955901.04.10..Одержання і властивості легованих епітаксійних шарів CdXHg1-XTeВласов Андрій Петрович
1996001.04.1026.11.2004Механізми переносу заряду і детектування X- і g-випромінювання в монокристалах та діодах на основі CdTeМаслянчук Олена Леонідівна
2011001.04.1001.12.2004Поверхневі поляритони в дифосфідах ZnSiP2, ZnP2, CdP2Шпортько Костянтин Валентинович
2110901.04.10..Моделювання та фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібних халькогенідів германіяЮркович Наталія Василівна
2148801.04.1016.03.2005Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-SiЗахарчук Дмитро Андрійович
2171601.04.1025.03.2005Температурні хвилі в ізотропних однорідних і кусково-однорідних напівпровідниках і діелектриках при об'ємному поглинанні гармонійно модульованого світлаЛашкевич Ігор Мар'янович
2356501.04.1030.06.2005Механізми дефектоутворення та люмінесценції у бездомішкових і легованих телуром кристалах селеніду цинкуТкаченко Ірина Володимирівна
2367601.04.1001.07.2005Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціямиБаран Мар'яна Михайлівна
2376601.04.1023.09.2005Модифікування халькогенідних склоподібних напівпровідників на основі миш’яку і сурмиРубіш Василь Васильович
2472301.04.1027.10.2005Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових СdТe діодних структурахМотущук Володимир Володимирович
2479101.04.1027.10.2005Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачівБілічук Сергій Васильович
2512801.04.1030.11.2005Перехідні теплові процеси у напівпровідникахДрогобицький Юрій Володимирович
2578201.04.10..Наведена анізотропія та релаксаційні ефекти в аморфних халькогенідахКРИШЕНИК Володимир Михайлович
2674201.04.1031.03.2006Динаміка ґратки та фазові переходи в складних фосфоровмісних халькогенідахЄВИЧ Руслан Методійович
2765701.04.1029.05.2006Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge і SiСусь Богдан Богданович
2786901.04.10..Квантово-хімічне моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) i Ge(100)АНАНЬЇНА Ольга Юріївна
2844201.04.1030.06.2006Доменна структура та азові перетворення у халькогенідних сегнетоелектриках-напівпровідниках та сегнетоеластикахКАЙНЦ Діана Іванівна
2917201.04.1020.09.2006Механізми рекомбінаційного свічення в складних оксидах з домішками іонів перехідних металівЛучечко Андрій Петрович
3008801.04.10..Еволюція метастабільних станів у неспівмірних фазах невласних сегнетоелектричних та сегнетоеластичних кристалівПанківський Юрій Іванович
3239301.04.10..Фізичні властивості багатокомпонентних вузькощілинних твердих розчинів АІІВVIЖихаревич Володимир Вікторович
3311401.04.10..Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідниківСЛІПУХІНА Іветта Вікторівна
3340201.04.10..Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та гамма-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x>0.6)Кульчинський Віктор Васильович
3346001.04.10..Електронні та іонні процеси у твердих електролітах Ag2HgI4 і Ag2CdI4Карбовник Іван Дмитрович
3435801.04.1021.10.2007Термодинамічні властивості сегнетоелектричних кристалів CuInP2(SexS1-x)6Белей Лариса Михайлівна
3445901.04.1024.09.2007Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарамиКозинець Олексій Володимирович
3466201.04.10..Властивості плівок GaN, отриманих на поруватому GaAs методом нітридизаціїРевенко Андрій Сергійович
3517401.04.1026.10.2007Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6Герман Іванна Іванівна
3531301.04.1024.10.2007Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазоюШопа Роман Ярославович
3749101.04.1014.03.2008Одержання та властивості монокристалів нових тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8Панкевич Володимир Зіновійович
3883501.04.10..Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германіюСлинько Василь Євгенович
4125601.04.1028.11.2008Анізотропія діелектричних властивостей кристалів KH2PO4, KD2PO4 і NаКС4H4O6*4H2O при дії зовнішнього тиску та електричного поляГУЙВАН Ганна Михайлівна
4168901.04.1026.11.2008Плівки CsI(Tl): структура, сцинтиляційні властивості, формування зображеньЛебединський Олексій Михайлович
4213701.04.1016.01.2009Дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні частинками підпорогової енергії.Мирончук Галина Леонідівна
4220301.04.10..Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанніМислюк Оксана Михайлівна
4325701.04.1024.03.1999Дослiдження ефектiв вiбронноє взаїмодiє в кристалах ABX3 та AmBnCpXs рiзних структурСторчун Мирослава Володимирiвна
4333501.04.10.. Домішкові та радіаційні парамагнітні центри в монокристалах зі структурою тригонального Са- галогерманатуСельський Андрій Анатолійович
4396601.04.10..Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках.Барабанов Олександ Валерійович
4409401.04.10..Люмінесцентні характеристики короткоперіодних квантово-розмірних надграток GaAs/AlAsКрилюк Сергій Георгійович
4424001.04.10..Динамічний хаос і самоорганізація в біполярних напівпровідниках з дрейфовою нестійкістюГорлей Павло Петрович
4437701.04.1030.06.1999Вплив координаційного оточення іону Me2+ (Me = Cu, Co) на оптико-фізичні властивості кристалів ряду A2MeX4.Корчак Юрій Михайлович
4440001.04.1022.06.1999Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадміюФедосов Сергій Анатолійович
4440901.04.10..Фiзичнi властивостi напiвпровiдникових та надпровiдних оксогалогенiдiвБунда Свiтлана Олександрiвна
4441801.04.1026.03.1999Оптичне випромінювання гарячими носіями заряду в кремнієвих бар'єрних структурахМазур Мирослав Павлович
4459401.04.1002.09.1999Електронно-мікроскопічні дслідження впливу умов отримання на будову складних халькогенідних стеколБоркач Євген Ілліч
4461101.04.1009.09.1999Структура та фiзичнi властивостi кремнiйових композицiй з розупорядкованими шарамиХрипко Сергiй Леонiдович
4502901.04.10..Рефракцiйнi властивостi кристалiв сульфатiв i селенатiв в областi фазових переходiв.Мищишин Орест Якович
4574601.04.1018.02.2000Технологія одержання та фізичні властивості багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцюСлинько Євген Іларіонович
4580401.04.10.. Умови утворення, структура і властивості алмазоподібних плівок вуглецю, осаджених з іонних пучківПузіков Вячеслав Михайлович
4603201.04.10.. Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів Чорній Зиновій Павлович
4608201.04.10.. Поверхневі плазмон-фононні збудження в oдновісних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC та структурах на їх основіМельничук Олександр Володимирович
4637001.04.10.. ГЕНЕРАЦІЙНО - РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ З ТОНКИМИ ШАРАМИ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ТА ОКСИДУ КРЕМНІЮСкришевський Валерій Антонович
4640701.04.1026.10.2001 Фотостимульовані процеси в халькогенідних склоподібних напівпровідниках та їх застосування для отримання голограмних оптичних елементівСтронський Олександр Володимирович
4739201.04.1004.06.2003Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазамиСливка Олександр Георгийович
4776701.04.1026.03.2004Тунельна інжекція та емісія електронів в шаруватих напівпровідникових структурах на кремнії.Євтух Анатолій Антонович
4786701.04.1021.04.2004Люмінесцентна спектроскопія електронних збуджень в іонних свинцевовмісних моно- та нанокристалахМягкота Степан Васильович
4801501.04.10..Енергетична структура, хімічний зв'язок, оптичні та термодинамічні властивості тетраедрично координованих напівпровідникових твердих розчинівДейбук Віталій Григорович
4823601.04.10..Фізичні властивості і дефекти структури бінарних фосфідів А2В52 і А3В5Кудін Анатолій Петрович
4828201.04.10..Спектроскопія електронних, екситонних та фононних збуджень в йодидах металів третьої групиФранів Андрій Васильович
4908401.04.10..Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основіХіврич Володимир Ілліч
4954501.04.1018.10.2006Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербіюСіпатов Олександр Юрійович
5004201.04.10..Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини AIIBVI та фотоприймачі на їхній основіОстапов Сергій Едуардович
5011801.04.1029.06.2007Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-VI напівпровідників.Сльотов Михайло Михайлович
5102801.04.1028.11.2008Оптичні та морфологічні властивості низьковимірних структур на основі кремнію, германію та їх твердих розчинівЮхимчук Володимир Олександрович
5111701.04.1024.12.2008Надтонкі діелектричні молекулярні плівки: організація та еволюція їх структури, оптичні властивості.Саввін Юрій Миколайович
5123501.04.10..Фотоелектронні процеси в твердих розчинах на основі телуридів кадмію, ртуті в умовах природної і стимульованої трансформації дефектної системиВласенко Олександр Іванович
5151401.04.1010.09.1999Адсорбційна чутливість напівпровідникових матеріалів групи А2В6, оксидів важких металів та кремнію з реальною поверхнею з кластерними структурами.Вашпанов Юрій Олександрович
5158701.04.1029.10.1999Фото- та термоіндуковані явища у потрійних халькогенідних сегнетонавіпровідниках з неспівмірними фазами.Гололобов Юрій Павлович
5170901.04.1022.11.1999Iнвертованi стани носiїв струму у напiвпровiдниках для середньої (l > 10...50 мкм) i далекої iнфрачервоної (l > 50...200 мкм) областей спектруТулупенко Вiктор Миколайович