Поиск по сайту:

Технические науки

Диссертации из НБУ.

Раздел: 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки / Назад, ко всем разделам НБУ.

idКод спец-тиГодТемаАвтор
13105.27.0624.12.1999Гетероструктури AlxGa1-xAs-GaAs для ФЕП слабоконцентрованого сонячного випромінюванняКурак Владислав Володимирович
212705.27.06..Дослідження фізико-технолочних процесів імпульсного лазерного напилення та модифікації властивостей тонких плівок багатокомпонентних металооксидів та телуридів камдію-ртуті.Савчук Віктор Костянтинович
231505.27.06..Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки.Даниленко Світлана Григорівна
466805.27.0606.04.2001Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAsСєліверстова Світлана Ростиславівна
471705.27.0627.04.2001Вплив (-радіації і НВЧ випромінюванняна параметри GaAs польових транзисторівз бар'єром Шотткі.Ренгевич Олексій Євгенович
728705.27.06.. Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок А4В6 та дослідження їх властивостей Давиденко Сергій Миколайович
732205.27.0611.01.2002Технологія та виробництво сцинтиелектронних блоків детектування і приладів на їх основіДаншин Євгеній Олександрович
734005.27.0607.12.2001Розробка технологій вирощування та дослідження великорозмірних монокристалів складних оксидів для функціональної електронікиСольський Іван Михайлович
881805.27.0617.05.2002Технологія виготовлення мікролінз з крапель рідких фотополімеризаційних композиційЛаба Ганна Петрівна
1003005.27.0618.10.2002Формування та дослідження двовимірних фотонних структур на основі макропористого кремнію.литвіненко Олег Олександрович
1224405.27.0621.03.2003Конструкції та технологія електронних логічних пристроїв на основі НВЧ- мікроелементів з контурним гістерезисомНебеснюк Оксана Юріївна
1344205.27.0620.06.2003Забезпечення міцності при термоударах електронних елементів, герметизованих ком-паундомПетращук Світлана Анатоліївна
1344605.27.0620.06.2003Позиційно-чутливі фотоприймачі на основі Si і епітаксійних структур GaAs (отримання, властивості, застосування)Данилець Євген Валентинович
1514005.27.0610.12.2003Удосконалення технології вирощування зливків кремнію з рівномірним розподілом киснюПритчин Сергій Емільович
1738605.27.06..Одержання і властивості кремнієвих композицій, модифікованих іонно-плазмовими обробками.Кравчина Віталій Вікторович
1861105.27.06..Операційний контроль формоутворення напівпровідникових пластин у виробництві приладів електронної технікиСтародубцев Микола Григорович
2067005.27.0621.01.2005Вплив активних обробок на процеси формування та властивості омічних та бар'єрних контактів до карбіду кремнію.Кудрик Ярослав Ярославович
2341505.27.0627.05.2005Тверді планарні джерела для дифузії бору з алюмоборосилікатних сполукМищишин Володимир Михайлович
2392705.27.0623.09.2005Розробка технології високонадійних термоелектричних модулів Пельтьє на основі кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-SbРоманюк Ігор Степанович
2517005.27.0616.12.2005Елементи технології оптоелектронних приладів на основі нематичних та холестерико-нематичних рідкокристалічних сумішейКоломзаров Юрій Вікторович
2542005.27.0623.12.2005Удосконалення технології шліфування кремнієвих структур з діелектричною ізоляцієюТкаченко Максим Олексійович
2713105.27.0626.04.2006Модифікація поверхневої мікроструктури алюмінієвої конденсаторної фольгиГавронський Віталій Євгенович
2728505.27.0626.04.2006Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAsМрихін Ігор Олександрович
2751805.27.06..Отримання телуру високої чистоти з пониженим вмістом кисню для рідинофазної епітаксії твердих розчинів кадмій-ртуть-телурТербан Віктор Андрійович
3027605.27.0615.11.2006Рідинно-фазна епітаксія плівок YAG:Cr4+, GGG:Cr4+ та YAG:Yb3+ для мікрочіпових та дискових лазерівМельник Сергій Степанович
3039805.27.06..Технологія отримання захисних матеріалів від електромагнітного випромінювання на основі барієво-боратного піносклаКороленко Олександр Валентинович
3332105.27.0615.06.2007Вплив ультразвуку на процеси росту монокристалів твердого розчину Ga0.03In0.97Sb з розплаву і шарів GaAs методом рідкофазної епітаксіїЗолкіна Людмила Вікторівна
3717705.27.06..Технологія напівпровідникових гетероструктур на основі органічних та неорганічних матеріалів для електрооптичних елементів мікроелектронікиВолинюк Дмитро Юрійович
3723205.27.0604.03.2008Технологія створення електрохемілюмінесцентного мікрофлюїдного пристрою біомедичного призначенняМузика Катерина Миколаївна
3735805.27.0628.03.2008Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAsМазницька Оксана Вікторівна
3925805.27.06..Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної технікиОлійник Сергій Володимирович
4567805.27.0626.11.1999Структура і властивості феритових плівок і феритів для приладів функціональної електронікиЮщук Степан Іванович
4621405.27.0629.03.2001Особливості деяких сполук з нестабільною граткою для пристроїв електронної техніки.Шевченко Анатолій Дмитрович
4684705.27.0625.09.2002Методи і апаратура контролю структурно- геометричної досконалості напівпровідникових матеріалів і структур в умовах їх серійного виробництваОксанич Анатолій Петрович
4876405.27.06..Технологія матеріалів та товстоплівкових структур високої теплопровідності на основі с-ВNЯкубовська Малгожата Брунонівна
4899605.27.0625.01.2006Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідниківСтахіра Павло Йосипович
4954805.27.06..Комплексно леговані структури на основі А3В5Круковський Семен Іванович